Кеше (20), Samsung Electronics Electronics компаниясының вице-президенті Ли Дже Ён ультрафиолетпен литография (EUV) технологиясына негізделген компанияның V1 бірінші вафли өндірісі желісін тексерді. Осы кезеңде Ли, Джае Ён Samsung Electronics 2030 жылға қарай логикалық чиптер саласындағы әлемдегі бірінші орынды алатындығын тағы бір дәлелдеді.
BusinessKorea-дың хабарлауынша, Samsung Electronics компаниясы Ли Джае Ён (Ли, Джа Ён) кеше зауыттың EUV өндіріс желісіне барғаннан кейін DS бизнес-бөлімшесінің президентімен көшпелі кездесу өткізді. Samsung құрылғысының шешімдері бөлімі (DS) екі маңызды өнім желісін, жартылай өткізгіштерді және дисплейді қамтиды. Жиналыс Лидің, Джае Ённің қайсарлығын көрсететін сияқты.
V1 өндірісінің желісі 2018 жылдың ақпан айында шамамен 6 миллиард АҚШ доллары көлемінде инвестициямен басталды деп түсініледі. Егер болашақта желі толығымен аяқталса, инвестицияның жалпы көлемі 20 триллион вонға жетеді деп күтілуде.
«V1 құрамына ультра күлгін және жеңіс кіреді», - деді Samsung Electronics компаниясының атқарушы директоры. «Біз V1 жолына болашақ нарықтық жағдайларға байланысты қосымша инвестициялар салуды жоспарлап отырмыз.»
Сонымен бірге, Samsung Electronics компаниясы EUV процесін игеру TSMC-ті сақтау үшін өте маңызды деп санайды. Жартылай өткізгіш тізбек ArF әдісімен салыстырғанда қысқа толқындық ультрафиолет жарық көзін қолдану арқылы вафлиге соғылғандықтан, жетілдірілген процесс ұсақ тізбектерді шығара алады. Ол 10 нанометрден төмен ультра жұқа процестерге жарамды және жоғары өнімді, аз қуатты жартылай өткізгіштерді дайындау үшін қолданылады. Маңызды.
Samsung Electronics 'V1 өндірістік желісінде 7 нанометрлік чиптерден басқа, 5 нм және 3 нм жартылай өткізгіштер де шығарылады. Ақпан айының басынан бастап жаппай өндірілетін 7-нанометрлік өнімдер наурыз айында бүкіл әлем бойынша тұтынушыларға жеткізіледі деп хабарланған.
Ли Дже Ён сол күні қызметкерлерге: «Өткен жылы біз жүйелік жартылай өткізгіштің көшбасшысы болу мақсатына тұқым себдік, және бүгін біз осы мақсатқа бірінші болып қол жеткіздік».